lm5060

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  • LM5060 data sheet, product information and support

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  • LM5060PDF数据手册Datasheet规格书 半导小芯

    描述 The LM5060 highside protection controller provides intelligent control of a highside Nchannel MOSFET during normal on/off transitions and fault conditions Inrush current is controlled by the nearly constant rise time of the output voltage A POWER GOOD output indicates when the output voltage reaches the input voltage and the将关闭的N沟道MOSFET和开关的LM5060到一个非常低的静态电流关断状态。 一个活跃 低功率良好输出引脚被设置来报告N沟道MOSFET的状态。 之前的等待时间 MOSFET被之后检测可与外部定时电容器来调节故障状态被关闭。 由于LM5060采用恒定电流源的外部N沟道MOSFET的LM5060 (TI [LM5060的高边保护控制器,具有低静态电流

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    关于LM5060芯片,电路如下图,板卡会经常热插拔,电源为12V@80A,为实现热插拔保护,问题如下:麻烦帮助review 原理图。 a、 电路麻烦帮忙检视,是否有问题; b、 图中的MOS管、二极管、三极管选型上有什么注意事项; c、 通过的电流较大,PCB布局LM5060 HighSide Protection Controller with Low Quiescent Current, LM5060 Datasheet, LM5060 circuit, LM5060 data sheet : TI, alldatasheet, Datasheet, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes, triacs and other semiconductorsLM5060 Datasheet(PDF) Texas Instruments

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    好不容易能在 电子保险丝和热插拔控制器 中找到个 LM5060。单纯的NMOS高侧驱动型号很少,大多都是集成电流保护的 热插拔控制器。 ADI 有专门的 热插拔控制器 和 高侧栅极驱动器 分类,能外接NMOS的型号还是非常多的。LM5060 与 LM5069 实现功率接口的保护器 当电池充电时,系统如果没有电流防倒灌保护,被测试电池将放电,会产生不可靠的的系统启动动作,同时在系统过压过流欠压保护时,如果只有主电路 MOSFET 关闭,电池仍然有电流倒灌的路径,因此附加输入输出接口保护器尤为重电池测试设备——功率变换篇测试测量与非网

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    它会给线路和电器设备带来损伤。 例如:使电动机疲倒、堵转,从而产生数倍于 额定电流 的过电流,烧坏电动机;当电压恢复时,大量电动机的自起动又会使电动机的电压大幅度下降,造成危害。 引起电动机疲倒的电压称为临界电压 。 当线路电压降低到LM5060 HighSide Protection Controller with Low Quiescent Current, LM5060 Datasheet, LM5060 circuit, LM5060 data sheet : TI, alldatasheet, Datasheet, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes, triacs and other semiconductorsLM5060 Datasheet(PDF) Texas Instruments

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    Each channel is composed of one LM5060 which drives the gate of 2 Nmosfet in back to back (common source) configuration During lab test, I've unfortunately realized that the overcurrent protection implemented by the LM5060 is very slow: in fact, in case of overcurrent, the Nmosfet are disabled only after 45ms and this causes the mosfet damageSearch Partnumber : Match&Start with "LM5060" Total : 34 ( 1/2 Page) Manufacturer Part No Datasheet Description Texas Instruments LM5060 1Mb / 33P [Old version datasheet] LM5060 HighSide Protection Controller with Low Quiescent CurrentLM5060 Datasheet, PDF Alldatasheet

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    Part Number: LM5060 Our project is for hot swap applications Our expectation from the project is that it can operate at 50A > Do you have any recommendations regarding the FET design made?During our tests(25A12V) we found the FETs get very hot(100+ C)What could be the reason why FETs get so hot even though they connected parallel?LM5060 与 LM5069 实现功率接口的保护器 当电池充电时,系统如果没有电流防倒灌保护,被测试电池将放电,会产生不可靠的的系统启动动作,同时在系统过压过流欠压保护时,如果只有主电路 MOSFET 关闭,电池仍然有电流倒灌的路径,因此附加输入输出接口保护器尤为重电池测试设备——功率变换篇测试测量与非网

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    支持高边驱动的LM5060 LM5060是High Side Protection Controller,工作电压支持55V 65V,支持过压保护、欠压保护和过流保护,可调整的开通时间,通过控制EN引脚电压,可以开断输出。LM5060内部集成了电荷泵,不需要额外供电,可以实现24uA门极充电1将VOS中的EDA整个文件夹放在磁盘空间大的地方,有100G以上的剩余空间。 2以管理员身份运行VMware之后,选择“Open a Virtual Machine”,进入文件夹VOS,然后进入EDA中,打开EDAvmx即可。 3第一次打开,选择Copy即可。 4建议在打开EDAvmx之后,先检查能不能启动,有IC设计EDA虚拟系统安装免费分享(最全) 知乎

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    金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(fieldeffect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET

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